5G 6G 방산 인공위성 전력반도체 관련 주식 RFHIC 주가전망 총정리

지난 포스팅에서는 유상증자는 호재인가? 악재인가?에 이어서 최근에 유상증자를 진행한 RFHIC에 대해서 파 해쳐 보자.
추가적으로 필자는 5G Top5, 6G Top 10에도 RFHIC를 선정하였다.

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6G 관련주 대장주 TOP10 :: 총정리

 

RFHIC

1. 용어 정리.

 

- 생소한 용어가 많기에 정리부터 하겠다.

트랜지스터(Transistor) - 전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭, 또는 스위치 역할을 수행하는 반도체 소자

LDMOS TR - 실리콘 기반 트랜지스터로 DC~ 3.5 GHz까지 커버할 수 있다.

GaN : 질화갈륨 기반 트랜지스터로 DC ~ 40 GHz까지 커버할 수 있다.

GaN on diamond : 질화갈륨에 공업용 다이아몬드 첨가하여 DC ~ 100 GHz까지 커버할 수 있다.

RF : Radio frequency : 라디오의 주파수 영역만 말하는 게 아니라 공기 중으로 신호를 전달할 때 쓰는 주파수는 모두 Radio Frequency로 보면 된다. 사전적 정의를 본다면 약 3KHz부터 Radio Frequency로 정의를 한다.

2. RFHIC의 기업소개

RFHIC는 경쟁사보다 먼저 미래 산업의 변화를 예측하여 신소재인 질화갈륨(Gallium Nitride, 이하 GaN)을 이용한 제품 개발 및 상용화를 시도하였다. RFHIC가 중소기업이지만 비교적 짧은 기간 안에 시장을 공략할 수 있었던 이유는 GaN이라는 신소재를 이용한 무선 주파수(Radio Frequency, RF) 전력 증폭기(이하, GaN 전력증폭기)를 개발했기 때문이다. 해외 글로벌 경쟁사들이 기존 30여 년 동안 시장을 장악한 실리콘 기반 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)라는 소자에 집중할 때 높은 가격 때문에 군사용, 인공위성 등 제한된 용도로 사용하고 있는 GaN을 통신용으로 대량 양산, 적용하여 실리콘 기반 LDMOS와 경쟁할 수 있는 가격구조를 갖추게 되었다. GaN 전력증폭기는 LDMOS 전력증폭기에 비해 효율은 10% 정도 높으며, 제품 크기는 최대 절반으로, 전력 사용량은 20% 정도 절감할 수 있는 강점이 있어 전 세계 기지국 시장에 확대 적용되고 있다. 이러한 기술을 활용하여 5G를 비롯한 차세대 이동통신기술, 위성 통신(Sat-com), 방위산업 등 다양한 분야에 진출할 계획이다.

LDMOS와 GaN on SIC 비교

 

LDMOS 트랜지스터와 GaN 트랜지스터 성능 비교표

- 기존 산업, 과학, 의료용(Industrial, Science, Medical, ISM) 분야에서 사용되는 RF/Microwave 생성기의 핵심 부품은 진공관(TWT, Klystron등)을 비롯한 Magnetron을 주로 사용하였다. 관련 산업의 발달로 보다 고품질의 RF/Microwave 신호가 요구됨에 따라 GaN 트랜지스터 및 전력증폭기를 활용한 RF/Microwave 생성기의 개발이 요구되고 있다. RFHIC는 다수의 레이더 교체 사업 등의 경험을 바탕으로 수 kw급의 RF/Microwave 생성기를 성공적으로 개발하였으며, 이를 바탕으로 의료용 가속기, 산업용 건조기, 플라즈마(Plasma)를 이용한 반도체 공정 장비 등 RF 에너지 분야에 진출할 계획이다.

- 국내 GaN 시장은 미국, 일본 등 해외 선진국 대비 매우 취약한 상황으로, 주요 원재료인 GaN 웨이퍼를 전량 수입에 의존하는 구조적 문제를 가지고 있다. 특히 GaN 웨이퍼는 전략물자로 분류되어 있어 수출 허가(EL, Export License) 승인 문제가 사업에 큰 영향을 준다. 이러한 기술 독점에 대응하고 GaN 웨이퍼의 국산화를 위하여 RFHIC는 8개의 해외 반도체 위탁생산(이하, Foundry) 업체들과 협업하여 축적된 기술력을 적극 활용하여, 국내외 글로벌 기업과 Foundry 목적의 합작회사를 설립할 계획이다. RFHIC는 설립한 합작회사를 통해 국내 생산 시설을 구축하여 해외 선진 기술과 동등한 수준의 GaN 웨이퍼 기술을 확보, 이를 통해 수입 의존도를 줄이고 국내 GaN 반도체의 통합형 공급망을 확보하려 한다.

RFHIC는 합작회사를 통해 Si, SiC 등 다양한 기판에 GaN을 증착시킨 에피 웨이퍼를 대량 양산하여 이를 RF 및 전력반도체에 적용하려 한다. 또한, 해외 Foundry 업체의 M&A에도 적극적으로 참여할 계획이다.

RFHIC 계열사

3. RFHIC의 역사

 

창업단계 (1999년 ~ 2005년)
알에프에이치아이씨(주)는 전량 수입 제품에만 의존하였던 RF(Radio Frequency) 부품을 국산화하고, 나아가 세계 최고의 제품을 만들겠다는 일념으로 설립되었다. 이후 전력증폭기 분야에 전진하여 신소재인 GaN을 이용한 트랜지스터 및 전력증폭기 개발에 착수하였다. 당시 세계 시장은 기존 해외 글로벌 업체들이30년 동안 실리콘(Si) 기반의 LDMOS로 시장을 차지하고 하고 있었다.
RFHIC는 시장 및 산업이 발달됨에 따라, GaN이 근시일 내 세계 시장에서 많은 수요가 발생할 것이라는 믿음으로 GaN 트랜지스터, 전력증폭기 개발 및 상용화를 위해 연구하였다.

시장 진입 단계(2006년 ~ 2008년)
GaN 트랜지스터 및 전력증폭기 상용화를 위한 RFHIC의 노력은 해외에서 먼저 결실을 맺었다. 글로벌 업체인 CREE와 원재료인 GaN 웨이퍼에 대한 안정적 공급을 약속하는 전략적 파트너쉽을 구축하였다. 이를 기반으로, 당시 고가인 GaN에 대한 가격 경쟁력을 보유할 수 있었다.
RFHIC는 독자적으로 개발한 기술력(웨이퍼 설계기술 및 패키징 기술 등) 및 가격 경쟁력을 바탕으로 경쟁사보다 5년 빠르게 GaN을 적용한 고효율 트랜지스터 및 전력증폭기를 세계 최초로 무선통신시장에 출시하여 상용화에 성공하였다. GaN 전력증폭기는 기존 LDMOS 전력증폭기에 비해 효율은 10% 이상 높으며, 제품 크기는 절반으로, 전력 사용량은 20% 이상 절감할 수 있는 제품이다.

성장 단계(2009년~2013년)
RFHIC에서 세계 최초로 상용화시킨 GaN 전력증폭기는 통신용 기지국의 성능 및 효율을 높이는 핵심 부품이다. RFHIC는 국내 대표기업인 삼성전자의 기지국(BTS: Base Transceiver Station, RRH: Remote Radio Head)에 RFHIC 제품이 적용되어 전력증폭기 분야 국내 1위 업체로 발돋움하였다.
삼성전자와의 거래는 기업의 성장에 큰 기회였다. RFHIC는 특정 업체에 대한 의존도를 낮추고 매출처의 다각화를 위해 해외 시장 공략을 준비하였다. 글로벌 통신장비업체인 화웨이, 노키아, 에릭슨과의 거래를 위하여 벤더등록을 추진하였고, 미국 방산업체 납품을 위하여 미국 노스캐롤라이나주에 공장과 법인을 설립하였다.
그 결과, 여러 해외 글로벌 통신장비업체들의 핵심 파트너로 자리매김할 수 있었으며, 무선통신분야에서 획득한 가격경쟁력을 바탕으로(GaN 트랜지스터를 방산용 레이더에 적용) 레이더 및 군용 통신장비 분야로 사업 영업을 확대하였다.

재도약단계(2014년 ~ 2017년)
국내 이동통신사(SK텔레콤, KT, LG유플러스)의 국내 기지국 투자가 감소하면서 RFHIC 매출액의 60%이상 차지하는 삼성전자 매출액이 감소하고 삼성전자 비즈니스가 GaN 전력증폭기에서 GaN 트랜지스터로 변경되어(삼성전자에서 RFHIC GaN 트랜지스터를 구매하여 자체적으로 전력증폭기 제작) RFHIC의 전체 매출액은 감소하게 되었다. 다행히 2012년부터 준비해온 중국시장에서 중국 휴대폰 시장의 수요 급증으로 중국 정부가 3G망 대신 4G LTE 기지국 설치를 확대하면서 세계 1위 통신장비업체인 화웨이와의 거래가 시작되었다. 또한 무선통신분야에서 획득한 가격경쟁력과 기술력을 바탕으로 방위산업용 레이더 시장 진입에 성공하여 L3Harris(세계 9위 방산업체), Airbus(세계 12위 방산업체), Cobham(세계 54위 방산업체), LIG넥스원(세계 68위 방산업체) 등 과의 거래가 시작 및 확대되었다.

2018년 ~ 현재
RFHIC는 5세대 이동통신(5G)시대를 대비하여 GaN 트랜지스터(GaN on SiC)를 적용한 고주파, 광대역, 고효율 특성을 갖는 Hybrid 통신용 전력증폭기를 개발하였습니다.
Hybrid 통신용 전력증폭기는 전력밀도가 높은 GaN 반도체를 이용하여 Massive MIMO 구현에 필요한 소형화 및 저전력 고효율 기술을 구현한 증폭기로써 기존 매크로 셀 기지국을 보완하여 향상된 네트워크 속도 및 품질을 제공한다. 신소재 영역까지 사업분야를 확대하기 위하여 기존의 GaN 트랜지스터(GaN on SiC)의 성능을 발전시킨 GaN on Diamond 웨이퍼(Wafer) 및 이를 이용한 트랜지스터 공정, 패키지 등 원천기술을 확보하였다. (국내/외 8개국, 총 98건 특허) Diamond는 기존의 실리콘이나 탄화규소(SiC)에 비해 열전도성이 4~10배 우수하여, GaN의 기판으로 활용할 경우 전력밀도, 전력효율 및 선형성의 개선으로 초소형기지국 구현에 높은 경쟁력을 확보할 수 있으며, 특히 SWaP(Size, Weight and Power) 특성이 가장 요구되는 방산제품에 가장 적합한 소재이다. RFHIC는 GaN on Diamond 소자를 사용한 고출력 반도체 전력증폭기를 개발하여 기존 진공관(Magnetron, TWT: Traveling Wave Tube, Klystron등)을 1:1로 대체할 뿐 아니라, 다양한 영역으로 사업을 확대하고 있다.

RFHIC 대표 제품

 

4. RFHIC 신규사업

RFHIC는 기존 실리콘(Si) 기반의 글로벌 경쟁사에서 GaN 트랜지스터 개발 및 제품 출시를 준비하는 동안 보다 향상된 기술을 확보하기 위해 새로운 소재인 Diamond에 대한 연구를 진행하고 있다. 일반적으로 Diamond는 특유의 광택 및 화려함으로 보석의 대명사로 널리 알려져 있지만, Diamond 자체의 다양하고 우수한 물리적 특성에 의해 산업적으로도 널리 쓰이고 있는 소재이다. 구체적으로 Diamond의 물리적 특성을 살펴보면, 구리보다 4배 정도 큰 열전도도를 가지며, 고압, 고출력 반도체에 요구되는 큰 에너지 밴드갭과 항복 전압(Breakdown voltage) 및 높은 전자 이동도를 갖는 등 우수한 반도체 특성을 보유하고 있다. RFHIC는 이러한 Diamond의 우수한 특성을 제품에 접목시킨 Diamond 웨이퍼 및 제조공정에 대한 원천기술을 확보하고 세계 최초로 GaN on Diamond 웨이퍼의 상용화를 위하여 영국의 Element Six로부터 Diamond 웨이퍼 공정 및 설계 기술에 대한 지식재산권을 취득하였다. GaN on Diamond 웨이퍼 공정의 상용화 개발 및 원천기술 확보는 원재료인 웨이퍼를 수입하여 제품을 생산하던 팹리스(Fabless) 업체에서 자체적으로 웨이퍼를 생산할 수 있는 기술을 보유한 반도체 전문 기업으로의 발전을 의미하며, 이를 통하여 급변하는 세계 시장에서 보다 능동적이고 빠르게 제품의 생산 및 경쟁력을 확보할 수 있다. 5세대 이동통신 및 방위산업에서는 우수한 방열특성 및 높은 주파수가 필요하다. GaN on Diamond 소자를 개발 및 적용하면 최대 400 GHz까지 동작 가능한 소자를 확보할 수 있다. 개발된 GaN on Diamond 소자는 5세대 이동통신뿐만 아니라 고출력 AESA(Active Electronically Scanned Array, 능동 전자주사식 위상배열) 레이더용 전력증폭기와 같은 방위산업 분야의 선점효과를 기대할 수 있다. CVD Diamond 증착 기술을 이용한 GaN on Diamond 웨이퍼의 국산화 및 원천 기술을 확보하면 전력반도체와 같은 시스템 반도체, 기타 응용 제품 등 신규 시장으로 사업의 영역을 확대할 수 있다.

5. 최근 RFHIC의 유상증자 이유

최근 RFHIC는 834억 가량의 (280만 주) 주주배정 유상증자를 단행하였다. 청약률을 예상외로 높은 110%를 나타내었다.

RFHIC 유상증자 청약 결과

유상증자의 자금의 세부 사용내역은 다음과 같다.

RFHIC 유상증자 자금 세부 사용 내역

 

자금의 세부 사용내역을 한마디로 표현하자면 멋지다. 파운드리, 전력반도체, 위성통신

현재 이보다 핫한 키워드가 있을까? 필자는 없다고 생각하면서 투자금액이 너무 적다고 생각한다. 과천 신사옥 시설 자금인 157억을 빼면 약 677억인데.. 이거 가지고 다 할 수 있을까? 필자는 턱없는 금액이라고 생각이 들지만, RFHIC는 많은 고민을 하였을 것이다. 유상증자 청약률도 생각하였고 전환사채도 생각하고 현재 RFHIC 주가도 생각한다면 위의 금액은 유상증자로서 타격이 크지 않은 금액인 것 같다.

RFHIC 추가 사업

RFHIC는 그동안 8개의 해외 반도체 위탁생산(이하, Foundry) 사업자들과 진행했던 기술력을 활용하여, RF 및 전력반도체 공정을 진행하고자 한다. 국내외 글로벌 기업과 협력하여 Foundry 사업 목적의 합작회사를 설립하고, 질화갈륨(이하, GaN) 및 다이아몬드(이하, Diamond) 제조 관련 신기술을 보유한 업체의 지분 투자를 진행하여 국내 생산 시설 구축을 통한 기술 선점 및 GaN 소자(이하, GaN Device) 물량을 확보할 계획이다. 특히 국내외 글로벌 기업과 설립한 합작회사를 활용하여 해외 Foundry 업체 M&A에도 적극적으로 진행할 계획이다.

위성통신 및 방산 등 첨단 기술 분야에 사용되는 고출력 GaN Device의 경우 국가 안보를 이유로 미국과 같은 선진국들의 수출 제한 품목으로 지정되어 국산화 개발이 시급한 상황이다. RFHIC는 국내외 글로벌 기업과 협력하여 Foundry 사업 목적의 합작회사를 설립할 계획이며, 국내 Foundry 양산화 기술 부족을 해결하고 비메모리 반도체 분야에서 가장 큰 성장성을 기대하는 RF 및 전력반도체 분야의 시장 지배력을 확보할 계획이다.

RF 및 전력반도체 기판으로 실리콘(이하, Si) 및 탄화규소(이하, SiC)가 주로 사용되는 상황에서 향상된 특성을 구현할 수 있는 GaN 및 Diamond 기판 제조 관련 신기술을 보유 중인 업체에 지분 투자를 계획하고 있다. 5G를 포함한 위성통신 및 방산 등 첨단 기술 분야에서 더욱 향상된 GaN Device의 성능 구현을 위해서는 반도체 열 문제를 해결할 수 있는 Diamond 기판 등이 반드시 필요한 상황이며, 제조 관련 신기술을 보유한 업체에 지분을 투자하여 협업 체계를 구축할 계획이다

6. 최근 RFHIC의 실적

COVID19 영향으로 국내외 5G 투자가 지연되면서 주력제품인 GaN 트랜지스터 등의 판매가 크게 감소한 바 전년대비 매출 규모가 축소되었다. 매출 감소에 따른 원가 및 판관비 부담 확대로 영업이익 전년대비 적자 전환하였고, 영업외 수지 개선과 법인세 수익 발생에도 순이익률 역시 전년대비 큰 폭으로 하락하였다. 그러나 글로벌 경개 개선과 주요 고객사의 해외 5G 사업 벤더 선정, 국내 통신 3사의 5G 투자 확대, 28GHz 대역 상용화 가능성 등으로 매출 성장 전망된다.

RFHIC 주봉

RFHIC 주봉 및 월봉을 보자면 누가 주가 관리를 하고 있듯이 철저하게 저점을 방어하고 있다(기관? or 외인?)

RFHIC 재무재표

RFHIC 재무제표를 보면 2010년 첫 적자를 나타내었다. 그 외의 과거 영업이익률을 보면 9~20%의 영업이익률을 보이고 있다. 2021년 컨센서스를 보면 사상 최고의 매출액액 대비 약 11%의 영업이익을 예상하고 있지만, 2022년부터는 매출 및 영업이익이 천장을 뚫을 것으로 보고 있다.

7. 최근 증권사의 RFHIC의 보고서

기업의 실적이 아무리 좋다 한들, 증권사의 보고서를 무시할 수는 없다고 필자는 생각한다.

최근 신한금융투자의 6월 14일 보고서

최근 KB금융의 7월 12일 보고서

최근 하나금융의 6월 4일 보고서

6월 4일 하나금융- Buy- 60,000원
6월 14일 신한금융투자 - Buy - 55,000원
7월 12일 KB금융 - Hold - 40,000원
의 목표가를 설정하고 있다.

지금까지 5G 6G 파운드리 인공위성 전력반도체 관련 성장성이 충분히 큰 RFHIC에 대해 알아보았다.


* 이 포스팅은 절대 종목 추천이 아닙니다 투자의 선택은 개인의 선택이며 모든 투자의 책임은 투자자 개인에게 있습니다 *